Datasheet PMV213SN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMV213SN
![]() 41 предложений от 21 поставщиков N-канальный utrenchmosTM транзистор со стандартным уровнем fet | |||
PMV213SN,215 Nexperia | 13 ₽ | ||
PMV213SN,215 Nexperia | от 38 ₽ | ||
PMV213SN215 NXP | по запросу | ||
PMV213SN,215 Kingtronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
PMV213SN
µTrenchMOSTM standard level FET
Rev.
02 -- 19 February 2003
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 1.9 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 7.6 А
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901