Datasheet PMBT5551 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: PMBT5551
![]() 64 предложений от 27 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
PMBT5551.215 Nexperia | от 2.40 ₽ | ||
PMBT5551.215 Nexperia | 2.55 ₽ | ||
PMBT5551,215 Nexperia | от 6.80 ₽ | ||
PMBT5551,215 Nexperia | от 8.01 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PMBT5551 NPN high-voltage transistor
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- DC Collector Current: 300 мА
- DC Current Gain: 80
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)