LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PMBT5551 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23 — Даташит

NXP PMBT5551

Наименование модели: PMBT5551

47 предложений от 23 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount
PMBT5551,215
NXP
1.19 ₽
Utmel
Весь мир
PMBT5551,215
Nexperia
от 1.95 ₽
Akcel
Весь мир
PMBT5551,235
Nexperia
от 25 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PMBT5551,215
Nexperia
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PMBT5551 NPN high-voltage transistor

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
  • DC Collector Current: 300 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet PMBT5551 - NXP TRANSISTOR, NPN, 160 V, 0.3 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России