Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet PMBT5551 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23 — Даташит

NXP PMBT5551

Наименование модели: PMBT5551

59 предложений от 25 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount
ICdarom.ru
Россия
PMBT5551.215
Nexperia
от 1.92 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PMBT5551,235
NXP
от 2.63 ₽
Элитан
Россия
PMBT5551
NXP
2.68 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
PMBT5551-QVL
от 9.80 ₽
Энергия без перебоев: источники питания MEAN WELL на DIN-рейку

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PMBT5551 NPN high-voltage transistor

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
  • DC Collector Current: 300 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet PMBT5551 - NXP TRANSISTOR, NPN, 160 V, 0.3 A, SOT23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка