Datasheet BUL45D2G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 400 В, TO-220 — Даташит

Купить BUL45D2G на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 3 422 ₽ 41 предложений от 18 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 5А; 75Вт; TO220AB; 1,15÷1,39мм
Компонентс Ру Россия	BUL45D2G ON Semiconductor	от 216 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BUL45D2G ON Semiconductor	от 227 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUL45D2G ON Semiconductor	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BUL45D2G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 400 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUL45D2G High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor
with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network
The BUL45D2G is state-of-art High Speed High gain BiPolar transistor (H2BIP).

High dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. It's characteristics make it also suitable for PFC application.
Features http://onsemi.com
POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES, 700 VOLTS, 75 WATTS

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
• Transition Frequency Typ ft: 13 МГц
• Power Dissipation Pd: 75 Вт
• DC Collector Current: 5 А
• DC Current Gain Max (hfe): 32

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB