Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet ON Semiconductor MJE181

ПроизводительON Semiconductor
СерияMJE181

3.0 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Datasheets

  • Скачать » Datasheet PDF, 123 Кб, Версия: 13
    Complementary Plastic Silicon Power Transistors
    Выписка из документа ↓
    MJE170G, MJE171G,
    MJE172G (PNP), MJE180G,
    MJE181G, MJE182G (NPN)
    Complementary Plastic
    Silicon Power Transistors
    The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier
    and low current, high speed switching applications.
    Features High DC Current Gain
    High Current-Gain -Bandwidth Product
    Annular Construction for Low Leakages
    Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
    These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* http://onsemi.com 3 AMPERES
    POWER TRANSISTORS
    COMPLEMENTARY SILICON
    40 -60 -80 VOLTS
    12.5 WATTS MAXIMUM RATINGS
    Rating Symbol Collector-Base Voltage
    MJE170G, MJE180G
    MJE171G, MJE181G
    MJE172G, MJE182G
    Collector-Emitter Voltage
    MJE170G, MJE180G
    MJE171G, MJE181G ...

Цены

MJE181 на РадиоЛоцман.Цены — от 9,96 до 17,20 руб.
Биполярные транзисторы - BJT 3A 60V 12.5W NPN
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
AllchipsON SemiconductorMJE181G9,96 руб.
T-electronON SemiconductorMJE181G13,36 руб.
ЭлитанON SemiconductorMJE181G17,20 руб.
ТаймЧипсON SemiconductorMJE181/DSIпо запросу
Океан ЭлектроникиON SemiconductorMJE181-STUпо запросу
Все 13 предложений от 13 поставщиков »

Статус

MJE181MJE181GMJE181STU
Статус продуктаСкоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора)В производстве (Рекомендуется для новых разработок)В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

MJE181MJE181GMJE181STU
КорпусTO-225-3TO-225-3TO-126-3
Код корпуса77-0977-09340AS

Экологический статус

MJE181MJE181GMJE181STU
Стандарты и нормыPb-free | Halide freePb-free

Другие варианты исполнения

MJE171 MJE172 MJE182

Модельный ряд

Серия: MJE181 (3)

Классификация производителя

  • Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MJE181

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ

Рейтинг@Mail.ru