» Datasheets » Полевые транзисторы

Datasheet Vishay Si9424BDY

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Datasheets

• Скачать » Datasheet PDF, 108 Кб, Язык: анг., Версия: C, Файл опубликован: 8 фев 2017
  Выписка из документа ↓
  Si9424BDY
  Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY
  VDS (V)
  -20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.025 at VGS = -4.5 V -7.1 0.033 at VGS = -2.5 V -6.1 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21
  Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G Top View
  D Ordering Information: Si9424BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
  Si9424BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted
  Parameter Symbol 10 s Steady State Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±9 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C
  TA = 70 °C Continuous Source Current (Diode Conduction)a IS
  TA = 25 °C
  TA = 70 °C PD -5.6 -5.6 -4.5
  -30 -1.7 -1.0 2.0 1.25 1.3 0.8 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V -7.1 IDM Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ID Unit -55 to 150 A W
  °C THERMAL RESISTANCE RATINGS
  Parameter
  Maximum Junction-to-Ambienta
  Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol
  t ≤ 10 s
  Steady State
  Steady State RthJA
  RthJF Typical Maximum 50 62.5 80 100 30 40 Unit
  °C/W Notes: ...

Цены

Модельный ряд

• Si9424BDY Si9424BDY-E3 Si9424BDY-T1 Si9424BDY-T1-E3 Si9424BDY-T1-E3-10 Si9424BDY-T1-GE3

На английском языке: Datasheet Vishay Si9424BDY

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.