Datasheet 2N3904
PDF, 95 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 4 апр 2019, Страниц: 2
NPN transistor, TO-92
NPN transistor, TO-92
Datasheet Samsung 2N3904 — Даташит
| Производитель | Samsung |
| Серия | 2N3904 |
| Модель | 2N3904 |
NPN transistor, TO-92
Datasheets
Цены
Купить 2N3904 на РадиоЛоцман.Цены — от 0,40 до 142 ₽45 предложений от 21 поставщиков
Характеристики транзистора 2N3904: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60...
| Триема Россия | 2N3904 (KN3904S-RTK/P) транзистор, SOT-23 (PBF) KEC | 0 ₽ | |
| Стандарт СИЗ Россия | 2N3904 Diotec | 1 ₽ | |
| ICdarom.ru Россия | 2N3904 D Diotec | от 1 ₽ | |
| ДКО Электронщик Россия | 2N3904 ON Semiconductor | от 2 ₽ |
Подробное описание
RoHS: Yes
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 V
- Collector Emitter Voltage Vces: 200 mV
- Continuous Collector Current Ic Max: 200 mA
- Current Ic @ Vce Sat: 10 mA
- Current Ic Continuous a Max: 200 mA
- Current Ic Fall Time Measurement: 10 mA
- DC Collector Current: 200 mA
- DC Current Gain Min: 100
- DC Current Gain: 10 mA
- Fall Time @ Ic: 250 ns
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 300 MHz
- Mounting Type: Through Hole
- Number of Pins: 3
- Number of Transistors: 1
- Package / Case: TO-92
- Pin Configuration: b
- Power Dissipation Pd: 625 mW
- Power Dissipation Ptot Max: 500 mW
- Transistor Case Style: TO-92
- Transistor Polarity: NPN
- Voltage Vcbo: 60 V
Классификация производителя
- NPN transistors
На английском языке: Datasheet Samsung 2N3904
