Datasheet Diodes BC858C — Даташит
Производитель | Diodes |
Серия | BC858C |
p-n-p транзистор
Datasheets
Datasheet BC856A, BC856B, BC857A, BC857B, BC857C, BC858A, BC858B, BC858c
PDF, 363 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 7
PNP
PNP
Выписка из документа
![]() 71 предложений от 31 поставщиков Транзисторы биполярные.Описание: Транзистор биполярный PNP; -30 В; -0,1 А; hFE 420…800; SOT-23Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -30Максимальное напряжение КБ... | |||
BC858C Hottech | 0.04 ₽ | ||
BC858C Keen Side | 0.43 ₽ | ||
BC858C RF | от 1.53 ₽ | ||
BC858C Rochester Electronics | 1.56 ₽ |
Корпус / Упаковка / Маркировка
BC858C-7-F | BC858CW-7-F | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Корпус | SOT23 | SOT23 |
Параметры
Parameters / Models | BC858C-7-F | BC858CW-7-F |
---|---|---|
Automotive Compliant PPAP | On Request* | On Request* |
IC | 0.1 A | 0.1 A |
ICM | 0.2 A | 0.2 A |
PD | 0.3 W | 0.3 W |
Product Type | PNP | PNP |
Qualified to AECQ10x | Yes | Yes |
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A) | 0.01/0.5 | 0.01/0.5 |
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A) | 0.1/5 | 0.1/5 |
VCE (SAT) (Max.2) | 650 mV | 650 mV |
VCE (SAT) Max | 300 mV | 300 mV |
VCEO, VCES | 30 V | 30 V |
fT | 200 MHz | 200 MHz |
hFE | 420 Min | 420 Min |
hFE (@ IC) | 0.002 A | 0.002 A |
Другие варианты исполнения
BC856A BC856B BC857A BC857B BC857C BC858A BC858B
Модельный ряд
Серия: BC858C (2)
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Transistors > Transistor (BJT) Master Table > Transistors 30V to 50V