Datasheet Motorola MTD20P06HDL — Даташит

ПроизводительMotorola
СерияMTD20P06HDL
МодельMTD20P06HDL
Datasheet Motorola MTD20P06HDL

P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

Datasheets

Datasheet MTD20P06HDL
PDF, 318 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 дек 2019, Страниц: 12
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
Выписка из документа

Цены

Купить MTD20P06HDL на РадиоЛоцман.Цены — от 43,13 до 105
6 предложений от 6 поставщиков
TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
Триема
Россия
MTD20P06HDL
ON Semiconductor
43 ₽
Десси
Россия
Категория < Транзисторы полевые , IGBT и модули >: MTD20P06HDL SMD
Motorola
78 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MTD20P06HDL
ON Semiconductor
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
MTD20P06HDL
по запросу

Подробное описание

TMOS Power FET Logic Level

This advanced high–cell density HDTMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low–voltage, high–speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, and other inductive loads. The avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched, and to offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet Motorola MTD20P06HDL

Рекомендуемые материалы по теме