Datasheet Toshiba SSM3H137TU — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияSSM3H137TU
МодельSSM3H137TU
Datasheet Toshiba SSM3H137TU

Малые полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии

Datasheets

Datasheet SSM3H137TU
PDF, 231 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: мар 2016, Страниц: 9
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Выписка из документа

Цены

SSM3H137TU Купить ЦенаКупить SSM3H137TU на РадиоЛоцман.Цены — от 19,60 до 1 476
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
Элитан
Россия
SSM3H137TU.LF
20 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SSM3H137TU.LF
1 476 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
SSM3H137TU,LF
Toshiba
по запросу

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Количество выводов3
Код корпусаSOT-323F
Код корпуса производителяUFM
Способ монтажаSurface Mount
Ширина×Длина×Высота2.0×2.1×0.7 мм

Параметры

AEC-Q101Qualified(*)
Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Drain current2.0 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V]240 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V]280 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4V]295 mΩ
Drain-Source voltage34 В
Основные особенностиRelay Drivers
Gate threshold voltage (Max)1.7 В
Gate-Source voltage+/-20 В
GenerationU-MOSⅣ
Input capacitance (Typ.)119 пФ
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch + Active Clamp Zener
Рассеиваемая мощность0.8 W
Total gate charge (Typ.) [VGS=10V]3.0 nC

Экологический статус

RoHSСовместим

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet Toshiba SSM3H137TU

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs