Datasheet Infineon IQE013N04LM6ATMA1 — Даташит

Производитель	Infineon
Серия	IQE013N04LM6
Модель	IQE013N04LM6ATMA1

Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с ведущим в отрасли R _{DS (on)}

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 1.4 Мб, Язык: анг., Версия: 02_00, Файл закачен: 2 ноя 2020, Страниц: 13
OptiMOS Power-MOSFET, 40V

Выписка из документа

Цены

Купить IQE013N04LM6ATMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 272 ₽ 14 предложений от 7 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 205 А, 0.0011 Ом, TSON, Surface Mount
ЧипСити Россия	IQE013N04LM6ATMA1 Infineon	111 ₽
AiPCBA Весь мир	IQE013N04LM6ATMA1 Infineon	141 ₽
Триема Россия	IQE013N04LM6ATMA1 Infineon	196 ₽
Элитан Россия	IQE013N04LM6ATMA1	229 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Infineon расширил свое инновационное семейство Source-Down, добавив IQE013N04LM6 1,35 мОм, 40 В в корпусе 3,3x3,3 PQFN.

Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор оптимизирует работу конечных пользователей, бросая вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора.

Одна из целей при проектировании электроинструмента - минимизировать внутренние ограничения требований к площади печатной платы, обеспечивая более эргономичный дизайн. Перемещение инвертора из рукоятки в головку минимизирует объем корпуса двигателя электроинструмента, одновременно сохраняя крутящий момент инструмента на достаточно высоком уровне для быстрого и легкого действия.

Статус

Статус продукта

В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Модельный ряд

Серия: IQE013N04LM6 (1)

IQE013N04LM6ATMA1

Классификация производителя

Power > MOSFET (Si/SiC) > 12V-300V N-Channel Power MOSFET