Datasheet Infineon IQE013N04LM6CG — Даташит

ПроизводительInfineon
СерияIQE013N04LM6CG
Datasheet Infineon IQE013N04LM6CG

Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.)

Datasheets

Datasheet IQE013N04LM6CG
PDF, 1.4 Мб, Язык: анг., Версия: 02_00, Файл закачен: 2 ноя 2020, Страниц: 13
OptiMOS Power-MOSFET, 40V
Выписка из документа

Цены

IQE013N04LM6CGATMA1 Купить ЦенаКупить IQE013N04LM6CGATMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 127 до 252
МОП-транзистор
ПМ Электроникс
Россия
IQE013N04LM6CGATMA1
Infineon
от 127 ₽
Элитан
Россия
IQE013N04LM6CGATMA1
Infineon
252 ₽

Подробное описание

IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET 40V в корпусе 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate.

Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор бросает вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора в конечном приложении.

Одна из целей при проектировании электроинструмента - минимизировать внутренние ограничения требований к площади печатной платы, обеспечивая эргономичный дизайн и оптимизируя взаимодействие с конечным пользователем. Перемещение инвертора из рукоятки в головку одновременно минимизирует объем корпуса двигателя электроинструмента, сохраняя при этом крутящий момент инструмента на достаточно высоком уровне для быстрого и легкого действия.

Статус

IQE013N04LM6CGATMA1
Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Модельный ряд

Серия: IQE013N04LM6CG (1)

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet Infineon IQE013N04LM6CG

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs