Datasheet Infineon IQE013N04LM6CG — Даташит

Производитель	Infineon
Серия	IQE013N04LM6CG

Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.)

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 1.4 Мб, Язык: анг., Версия: 02_00, Файл закачен: 2 ноя 2020, Страниц: 13
OptiMOS Power-MOSFET, 40V

Выписка из документа

Цены

Купить IQE013N04LM6CGATMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 116 до 279 ₽ 19 предложений от 8 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 205 А, 0.0011 Ом, TTFN, Surface Mount
ЧипСити Россия	IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon	116 ₽
Utmel Весь мир	IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon	от 167 ₽
AiPCBA Весь мир	IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon	235 ₽
Онлайн Компоненты Россия	IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon	от 279 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET 40V в корпусе 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate.

Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор бросает вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора в конечном приложении.

Одна из целей при проектировании электроинструмента - минимизировать внутренние ограничения требований к площади печатной платы, обеспечивая эргономичный дизайн и оптимизируя взаимодействие с конечным пользователем. Перемещение инвертора из рукоятки в головку одновременно минимизирует объем корпуса двигателя электроинструмента, сохраняя при этом крутящий момент инструмента на достаточно высоком уровне для быстрого и легкого действия.

Статус

	IQE013N04LM6CGATMA1
Статус продукта	В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Модельный ряд

Серия: IQE013N04LM6CG (1)

IQE013N04LM6CGATMA1

Классификация производителя

Power > MOSFET (Si/SiC) > 12V-300V N-Channel Power MOSFET