Datasheet Infineon IRG4PH40UD2-E — Даташит

ПроизводительInfineon
СерияIRG4PH40UD2-E
Datasheet Infineon IRG4PH40UD2-E

Упакованный IGBT 1200 В в корпус TO-247AD со сверхбыстрым восстанавливающимся диодом 5-40 кГц.

Datasheets

Datasheet IRG4PH40UD2-EP
PDF, 242 Кб, Язык: анг., Версия: 01_00, Файл закачен: 14 дек 2020, Страниц: 11
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Выписка из документа

Цены

IRG4PH40UD2-E Купить ЦенаКупить IRG4PH40UD2-E на РадиоЛоцман.Цены — от 542 до 546
6 предложений от 6 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz
Триема
Россия
IRG4PH40UD2-E
International Rectifier
542 ₽
Ким
Россия
IRG4PH40UD2-E
International Rectifier
546 ₽
TradeElectronics
Россия
IRG4PH40UD2E
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
IRG4PH40UD2-E
Infineon
по запросу

Статус

IRG4PH40UD2-EP
Статус продуктаСнят с производства (Производитель прекратил производство прибора)

Модельный ряд

Серия: IRG4PH40UD2-E (1)

Классификация производителя

  • Power > IGBT > IGBT Discretes

На английском языке: Datasheet Infineon IRG4PH40UD2-E

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

Запись онлайн конференции - Путь к созданию SDR III. Третий главный технологический шаг в создании платформы SDR