Datasheet Motorola MTP2N50E — Даташит

ПроизводительMotorola
СерияMTP2N50E
МодельMTP2N50E

Силовой полевой транзистор TMOS E-FET - Кремниевый затвор с N-канальным режимом расширения - TMOS Power FET 2,0 А, 500 Вольт RDS (вкл.) = 3,6 Ом - Корпус 221A – 06, стиль 5, TO – 220AB

Datasheets

Datasheet MTP2N50E
PDF, 253 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 12 фев 2021, Страниц: 8
TMOS E-FET Power Field Effect Transistor - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate - TMOS Power FET 2.0 Amperes 500 Volts RDS(on) = 3.6 Ohm - Case 221A–06, Style 5 TO–220AB
Выписка из документа

Цены

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
Ким
Россия
MTP2N50E
ON Semiconductor
159 ₽
AliExpress
Весь мир
KHB4D5N60P 4D5N60P MTP2N50E DSB30C45PB KSC5027-0 C5027-0 MTP4N50E D13005ED MTP2N60E LM317 STP40NF03L P40NF03L
252 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MTP2N50E
по запросу
MTP2N50E
Motorola
по запросу

Подробное описание

В этом высоковольтном полевом МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема оконечной нагрузки, обеспечивающая расширенные возможности блокировки по напряжению без снижения производительности с течением времени.

Кроме того, этот усовершенствованный TMOS E – FET разработан, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном и коммутационном режимах.

На английском языке: Datasheet Motorola MTP2N50E

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

ADMV8420 - настраиваемый полосовой СВЧ фильтр от Analog Devices