Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICSTR — Даташит

4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET

Datasheets

PDF, 567 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 29 мар 2021, Страниц: 24
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Выписка из документа

Купить STGAP2SICSTR на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 1 поставщиков IC: driver
ТМ Электроникс Россия	STGAP2SICSTR STMicroelectronics	от 401 ₽

Все особенности

Шина высокого напряжения до 1200 В
Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C
Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур
Общая задержка распространения на входе-выходе: 75 нс
Возможность раздельного стока и источника для упрощения настройки управления затвором
4 вариант со специальным штырем Miller CLAMP
Функция UVLO

Статус продукта

В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус

SO 8 WIDE 300

Серия: STGAP2SICS (4)