Datasheet Wolfspeed C2M1000170D — Даташит

ПроизводительWolfspeed
СерияC2M1000170D
МодельC2M1000170D

МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В

Datasheets

Datasheet C2M1000170D
PDF, 996 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 30 мар 2021, Страниц: 10
1700V Silicon Carbide MOSFETs
Выписка из документа

Цены

17 предложений от 11 поставщиков
'Транзистор N SiC технология C2M 1700 5 1 Ом 69 Вт TO-247-3.Технические характеристики:Корпус TO-247-3;Максимальное напряжение сток-исток 1700 В;Ток стока номинальный при...
C2M1000170D
Cree
259 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
C2M1000170D
Cree
354 ₽
C2M1000170D
Cree
от 487 ₽
Десси
Россия
MOSFET транзистор C2M1000170D
Cree
936 ₽

Подробное описание

SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии.

По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed обеспечивает повышенную удельную мощность системы, более высокие частоты переключения, меньшие размеры, более холодные компоненты, уменьшенный размер компонентов, таких как индукторы, конденсаторы, фильтры и трансформаторы, а также общую экономию.

Классификация производителя

  • 1700V Silicon Carbide MOSFETs

На английском языке: Datasheet Wolfspeed C2M1000170D

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices