Datasheet Wolfspeed C2M1000170D — Даташит
Производитель | Wolfspeed |
Серия | C2M1000170D |
Модель | C2M1000170D |
МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В
Datasheets
Datasheet C2M1000170D
PDF, 996 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 30 мар 2021, Страниц: 10
1700V Silicon Carbide MOSFETs
1700V Silicon Carbide MOSFETs
Выписка из документа
Цены
![]() 17 предложений от 11 поставщиков 'Транзистор N SiC технология C2M 1700 5 1 Ом 69 Вт TO-247-3.Технические характеристики:Корпус TO-247-3;Максимальное напряжение сток-исток 1700 В;Ток стока номинальный при... | |||
C2M1000170D Cree | 259 ₽ | ||
C2M1000170D Cree | 354 ₽ | ||
C2M1000170D Cree | от 487 ₽ | ||
MOSFET транзистор C2M1000170D Cree | 936 ₽ |
Подробное описание
SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии.
По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed обеспечивает повышенную удельную мощность системы, более высокие частоты переключения, меньшие размеры, более холодные компоненты, уменьшенный размер компонентов, таких как индукторы, конденсаторы, фильтры и трансформаторы, а также общую экономию.
Классификация производителя
- 1700V Silicon Carbide MOSFETs