Datasheet Wolfspeed C2M1000170J — Даташит

ПроизводительWolfspeed
СерияC2M1000170J
МодельC2M1000170J

МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В

Datasheets

Datasheet C2M1000170J
PDF, 1.1 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 30 мар 2021, Страниц: 10
1700V Silicon Carbide MOSFETs
Выписка из документа

Цены

10 предложений от 7 поставщиков
'Транзистор N SiC технология C2M 1700 5,3 1 Ом 78 Вт 7L D2PAK.Технические характеристики:Корпус 7L D2PAK;Максимальное напряжение сток-исток 1700 В;Ток стока...
T-electron
Россия и страны СНГ
C2M1000170J
Cree
376 ₽
ЭИК
Россия
C2M1000170J
Cree
от 396 ₽
Интерия
Россия и страны СНГ
C2M1000170J
Cree
по запросу
C2M1000170J
Cree
по запросу

Подробное описание

SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии.

По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed обеспечивает повышенную удельную мощность системы, более высокие частоты переключения, меньшие размеры, более холодные компоненты, уменьшенный размер компонентов, таких как индукторы, конденсаторы, фильтры и трансформаторы, а также общую экономию.

Классификация производителя

  • 1700V Silicon Carbide MOSFETs

На английском языке: Datasheet Wolfspeed C2M1000170J

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices