Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Даташит

ПроизводительSTMicroelectronics
СерияMASTERGAN4
МодельMASTERGAN4

Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT

Datasheets

Datasheet MasterGaN4
PDF, 480 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 апр 2021, Страниц: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Выписка из документа

Цены

Элитан
Россия
MASTERGAN4
STMicroelectronics
996 ₽

Подробное описание

Все особенности
  • Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN:
    • QFN 9 x 9 x 1 мм в корпусе
    • R DS (ВКЛ) = 225 мОм
    • I DS (МАКС.) = 6,5 А
  • Возможность обратного тока
  • Нулевые потери при обратном восстановлении
  • Защита UVLO на нижней и верхней стороне
  • Внутренний бутстрап-диод
  • Функция блокировки
  • Выделенный контакт для отключения функции

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Модельный ряд

Серия: MASTERGAN4 (2)

Классификация производителя

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers

На английском языке: Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices