Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Даташит
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | MASTERGAN4 |
Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT
Datasheets
Datasheet MasterGaN4
PDF, 480 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 апр 2021, Страниц: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Выписка из документа
Цены
| MASTERGAN4 STMicroelectronics | 996 ₽ | ||
Подробное описание
Все особенности- Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN:
- QFN 9 x 9 x 1 мм в корпусе
- R DS (ВКЛ) = 225 мОм
- I DS (МАКС.) = 6,5 А
- Возможность обратного тока
- Нулевые потери при обратном восстановлении
- Защита UVLO на нижней и верхней стороне
- Внутренний бутстрап-диод
- Функция блокировки
- Выделенный контакт для отключения функции
Статус
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| Корпус | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM |
Модельный ряд
Серия: MASTERGAN4 (2)
Классификация производителя
- Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers
