Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Даташит

Производитель	STMicroelectronics
Серия	MASTERGAN4

Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT

Datasheets

PDF, 480 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 апр 2021, Страниц: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Выписка из документа

Купить MASTERGAN4 на РадиоЛоцман.Цены — от 887 до 1 862 ₽ 12 предложений от 7 поставщиков Gate Drivers High power density 600V half bridge driver, two enhancement mode GaN power HEMTComplete Your Design
ChipWorker Весь мир	MASTERGAN4TR STMicroelectronics	887 ₽
AiPCBA Весь мир	MASTERGAN4TR STMicroelectronics	928 ₽
Acme Chip Весь мир	MASTERGAN4TR STMicroelectronics	по запросу
FAV Technology Весь мир	MASTERGAN4TR STMicroelectronics	по запросу

Все особенности

Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN:
- QFN 9 x 9 x 1 мм в корпусе
- R _{DS (ВКЛ)} = 225 мОм
- I _{DS (МАКС.)} = 6,5 А
Возможность обратного тока
Нулевые потери при обратном восстановлении
Защита UVLO на нижней и верхней стороне
Внутренний бутстрап-диод
Функция блокировки
Выделенный контакт для отключения функции

	MASTERGAN4	MASTERGAN4TR
Статус продукта	В производстве (Рекомендуется для новых разработок)	В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

	MASTERGAN4	MASTERGAN4TR
N	1	2
Корпус	VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM	VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Серия: MASTERGAN4 (2)