Datasheet Texas Instruments OPA855-Q1 — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияOPA855-Q1
Datasheet Texas Instruments OPA855-Q1

Automotive 8-GHz gain bandwidth, decompensated transimpedance amplifier with bipolar input

Datasheets

Цены

Микросхемы
Элитан
Россия
OPA855IDSG
Texas Instruments
432 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
OPA855IDSGR
24 741 ₽
OPA855IDSGT
Texas Instruments
по запросу

Статус

OPA855Q1DSGR
Статус продуктаАнонсирован
Доступность образцов у производителяНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

OPA855Q1DSGR
Pin8
Package TypeDSG
Industry STD TermWSON
JEDEC CodeS-PDSO-N
Package QTY3000
CarrierLARGE T&R
Маркировка855Q
Width (мм)2
Length (мм)2
Thickness (мм)0.75
Pitch (мм)0.5
Max Height (мм)0.8
Mechanical DataСкачать

Параметры

Parameters / ModelsOPA855Q1DSGR
OPA855Q1DSGR
2nd harmonic, dBc80
3rd harmonic, dBc86
@ MHz10
Acl, min spec gain, V/V7
АрхитектураVoltage FB
BW @ Acl, МГц2500
CMRR(Min), дБ90
CMRR(Typ), дБ100
Основные особенностиShutdown,Decompensated
GBW(Typ), МГц8000
Input bias current(Max), pA18500000
Iq per channel(Typ), мА19.5
Number of channels1
Offset drift(Typ), uV/C1.25
Operating temperature range, C-40 to 125
Output current(Typ), мА80
Package GroupWSON|8
Package size: mm2:W x L, PKG8WSON: 4 mm2: 2 x 2 (WSON|8)
Rail-to-railNo
RatingAutomotive
Slew rate, V/us2750
Slew rate(Typ), V/us2750
Total supply voltage(Max), +5V=5, +/-5V=105.25
Total supply voltage(Min), +5V=5, +/-5V=103.3
Vn at 1 kHz(Typ), нВ/rtГц1.9
Vn at flatband(Typ), нВ/rtГц0.98
Vos (offset voltage @ 25 C)(Max), мВ2.5

Экологический статус

OPA855Q1DSGR
RoHSСовместим
Бессвинцовая технология (Pb Free)Да

Модельный ряд

Серия: OPA855-Q1 (1)

Классификация производителя

  • Semiconductors > Analog and Mixed-Signal > Amplifiers > Operational amplifiers (op amps) > High-speed op amps (GBW>=50MHz)

На английском языке: Datasheet Texas Instruments OPA855-Q1

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices