Datasheet GA200SA60UP - Vishay Даташит SINGLE IGBT, 600 В, 200 А — Даташит
Наименование модели: GA200SA60UP
Купить GA200SA60UP на РадиоЛоцман.Цены — от 1 266 до 4 626 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 100A | |||
VS-GA200SA60UP Vishay | 1 266 ₽ | ||
GA200SA60UP (без крепежа, небольшой окисел) | 1 977 ₽ | ||
GA200SA60UP | 4 228 ₽ | ||
GA200SA60UP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: SINGLE IGBT, 600 В, 200 А
Краткое содержание документа:
GA200SA60UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
FEATURES
· Ultrafast: Optimized for minimum saturation voltage and speed up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · Fully isolate package (2500 VAC/RMS) · Very low internal inductance ( 5 nH typical) · Industry standard outline · UL approved file E78996 · Compliant to RoHS directive 2002/95/EC · Designed and qualified for industrial level
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 600 В
- Power Dissipation Pd: 500 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
RoHS: есть