Datasheet IRG7PH35UD1-EP - International Rectifier Даташит INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR — Даташит
Наименование модели: IRG7PH35UD1-EP
Купить IRG7PH35UD1-EP на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 472 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS | |||
| IRG7PH35UD1-EP Infineon | от 44 ₽ | ||
| IRG7PH35UD1-EP Infineon | 290 ₽ | ||
| IRG7PH35UD1-EP, IGBT 1200В 25А TO247AD Infineon | 472 ₽ | ||
| IRG7PH35UD1-EP International Rectifier | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Power Dissipation, Pd: 179 мВт
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
IRG7PH35UD1EP, IRG7PH35UD1 EP
