Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IXGA30N120B3 - IXYS Даташит IGBT,1200V,30A,TO-263 — Даташит

IXYS IXGA30N120B3

Наименование модели: IXGA30N120B3

26 предложений от 12 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins
T-electron
Россия и страны СНГ
IXGA30N120B3
IXYS
398 ₽
ЧипСити
Россия
IXGA30N120B3-TRL
IXYS
464 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXGA30N120B3-TRL
IXYS
494 ₽
Akcel
Весь мир
IXGA30N120B3
IXYS
от 607 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT,1200V,30A,TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GenX3TM 1200V IGBTs
High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching
IXGA30N120B3 IXGP30N120B3 IXGH30N120B3
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
TO-263 (IXGA)

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 60 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
  • Power Dissipation Max: 300 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGA30N120B3 - IXYS IGBT,1200V,30A,TO-263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России