Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IXGA30N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,TO-263 — Даташит

IXYS IXGA30N60C3C1

Наименование модели: IXGA30N60C3C1

10 предложений от 10 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-263, 3Pins
T-electron
Россия и страны СНГ
IXGA30N60C3C1
IXYS
1 227 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXGA30N60C3C1
IXYS
1 398 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXGA30N60C3C1
IXYS
1 416 ₽
IXGA30N60C3C1
IXYS
1 472 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT,600V,30A,TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
= = =

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 60 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
  • Power Dissipation Max: 220 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGA30N60C3C1 - IXYS IGBT,600V,30A,TO-263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России