HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IXGR16N170AH1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXGR16N170AH1

Наименование модели: IXGR16N170AH1

9 предложений от 9 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR16N170AH1 IGBT Single Transistor, Isolated, 16A, 5V, 120W, 1.7kV, TO-247AD, 3Pins
T-electron
Россия и страны СНГ
IXGR16N170AH1
IXYS
1 442 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXGR16N170AH1
IXYS
1 565 ₽
МосЧип
Россия
IXGR16N170AH1
IXYS
по запросу
Akcel
Весь мир
IXGR16N170AH1
IXYS
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advance Technical Data
IXGR 16N170AH1 High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1700 V = 16 A = 5.0 V = 40 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 IF90 ICM SSOA (RBSOA) tSC PC VISOL TJ TJM Tstg FC

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 16 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 5 В
  • Power Dissipation Max: 120 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Current Ic Continuous a Max: 16 А
  • Fall Time tf: 40 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 1.04°C/W
  • Package / Case: ISOPLUS-247
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 120 Вт
  • Rise Time: 40 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 1700 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGR16N170AH1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России