Datasheet IRG4BC20SDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 19 А, TO-220 — Даташит

Купить IRG4BC20SDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 155 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Стандарт СИЗ Россия	IRG4BC20SDPBF International Rectifier	26 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IRG4BC20SDPBF Infineon	от 44 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRG4BC20SDPBF Infineon	134 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRG4BC20SDPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, 600 В, 19 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94939A
IRG4BC20SDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· Extremely low voltage drop 1.4Vtyp.

@ 10A · S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. · Very Tight Vce(on) distribution · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard TO-220AB package · Lead-Free

Данные для моделирования

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 19 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В
• Power Dissipation Max: 60 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Current Ic Continuous a Max: 19 А
• Fall Time Max: 35 нс
• Package / Case: TO-220AB
• Power Dissipation: 60 Вт
• Power Dissipation Pd: 60 Вт
• Pulsed Current Icm: 38 А
• Rise Time: 35 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5