Datasheet HGTG12N60C3D - Fairchild Даташит IGBT, N, 3-TO-247 — Даташит

Купить HGTG12N60C3D на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 11 967 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel
Akcel Весь мир	HGTG12N60C3D ON Semiconductor	от 58 ₽	Купить
Utmel Весь мир	HGTG12N60C3D ON Semiconductor	от 97 ₽	Купить
Триема Россия	HGTG12N60C3D ON Semiconductor	909 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	HGTG12N60C3D ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, N, 3-TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HGTG12N60C3D
Data Sheet December 2001
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.

The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential. Formerly Developmental Type TA49117.
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 24 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 104 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 24 А
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 104 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Fischer Elektronik - WLPG 02