Datasheet IGD01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, D-PAK — Даташит

Купить IGD01N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 97 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
T-electron Россия и страны СНГ	IGD01N120H2BUMA1 Infineon	45 ₽	Купить
Софт Логистик Россия	IGD01N120H2BUMA1 Infineon	54 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IGD01N120H2BUMA1 Infineon	79 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IGD01N120H2BUMA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGP01N120H2 IGD01N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A

Спецификации:

• DC Collector Current: 3.2 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 28 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 1.3 А
• Количество транзисторов: 1
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: D-PAK
• Power Dissipation: 28 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLPG 02