Datasheet IKA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220 — Даташит

Infineon IKA03N120H2

Наименование модели: IKA03N120H2

Купить IKA03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 122 до 130 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
ЧипСити Россия	IKA03N120H2XKSA1 Infineon	122 ₽
ChipWorker Весь мир	IKA03N120H2XKSA1 Infineon	130 ₽
AiPCBA Весь мир	IKA03N120H2XKSA1 Infineon	130 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IKA03N120H2 E8153	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IKA03N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
· ·
Designed for: - TV Horizontal Line Deflection 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Integrated anti-parallel diode - Eoff optimized for IC =3A

Спецификации:

DC Collector Current: 8.2 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
Power Dissipation Max: 29 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Ic Continuous a Max: 3 А
Количество транзисторов: 1
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation: 29 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Тип транзистора:
Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть