Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IXER35N120D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXER35N120D1

Наименование модели: IXER35N120D1

11 предложений от 8 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A
AliExpress
Весь мир
IXER35N120D1 IXSH35N120A IGBT 1200 в 50A 200 Вт TO-247 мощный большой чип-транзистор с гарантией качества
180 ₽
Akcel
Весь мир
IXER35N120D1
IXYS
от 182 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXER35N120D1
по запросу
ТаймЧипс
Россия
IXER35N120D1_06
IXYS
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Спецификации:

  • DC Collector Current: 50 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Количество выводов: 3
  • Current Ic Continuous a Max: 50 А
  • Fall Time tf: 50 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: ISOPLUS-247
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 200 Вт
  • Rise Time: 50 нс
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Тип транзистора:
  • Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXER35N120D1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России