Datasheet 2MBI150U4A-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В — Даташит
Наименование модели: 2MBI150U4A-120-50
Купить 2MBI150U4A-120-50 на РадиоЛоцман.Цены — от 7 440 до 14 236 ₽ igbt модули | |||
2MBI150U4A-120-50 Fuji | 7 440 ₽ | ||
2MBI150U4A-120-50 Fuji Electric | 14 236 ₽ | ||
2MBI150U4A120-50 Fuji | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В
Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.
No.
: : :
IGBT MODULE
2MBI150U4A-120 MS5F 6031
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 735 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Current Ic @ Vce Sat: 150 А
- Current Ic Continuous a Max: 200 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 34 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 92 мм
- Fall Time tf: 410 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: M232
- Рассеиваемая мощность максимальная: 735 Вт
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Rise Time: 320 нс
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI150U4A12050, 2MBI150U4A 120 50