Datasheet BSM50GB120DLC - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Купить BSM50GB120DLC на РадиоЛоцман.Цены — от 12 155 до 12 437 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
РИВ Электроникс Россия	BSM50GB120DLC Infineon	от 12 155 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC IGBT Силовой модуль	1 486 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSM50GB120DLC Infineon	3 462 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSM50GB120DLC Infineon	12 437 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM50GB120DLC
Hцchstzulдssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• DC Collector Current: 115 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 460 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Альтернативный тип корпуса: M34a
• Тип корпуса: Half Bridge 1
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Current Temperature: 80°C
• Fall Time tf: 0.03Вµs
• Power Dissipation: 460 Вт
• Power Dissipation Pd: 460 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 0.05Вµs
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть