На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet DF1000R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM — Даташит

Infineon DF1000R17IE4

Наименование модели: DF1000R17IE4

18 предложений от 13 поставщиков
1700V PrimePACK3 chopper IGBT module with IGBT4 and NTC. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T(tvj ...
Utmel
Весь мир
DF1000R17IE4D_B2
Infineon
от 34 996 ₽
ЧипСити
Россия
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon
46 160 ₽
AiPCBA
Весь мир
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon
49 107 ₽
ЭИК
Россия
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon
от 109 916 ₽
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF1000R17IE4
PrimePACKTM3 Modul und NTC PrimePACKTM3 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

  • Module Configuration: Single
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 1000 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 12
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 6.25 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet DF1000R17IE4 - Infineon IGBT, HI PO CHOP, 1700 V, 1000 A, PRIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России