Datasheet FD150R12RT4 - Infineon Даташит IGBT, MED POW, FD CHO, 1200 В, 125 А — Даташит

Infineon FD150R12RT4

Наименование модели: FD150R12RT4

Купить FD150R12RT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 931 до 18 173 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Chopper, 150 А, 1.75 В, 790 Вт, 150 °C, Module
Стандарт СИЗ Россия	FD150R12RT4HOSA1 Infineon	1 931 ₽
Триема Россия	FD150R12RT4	2 800 ₽
Элитан Россия	FD150R12RT4HOSA1 Infineon	16 198 ₽
Онлайн Компоненты Россия	FD150R12RT4HOSA1 Infineon	от 18 173 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, MED POW, FD CHO, 1200 В, 125 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! # # $ % & ' ! "
"
#()* + ,( -./ + 3 4 0 5 % $0 5 $ $ ;6# 6 = > 4 =% =5 6 $ % 6 4 $D % #()FGH $D 3?@ .A + IJ $ $ #()FGH 4 $, $6 4 =% K % 4$ % 4 4 3 0 $ 9 %4 : 7 & $ $ ;<6 6
# 0 ' ,(12 +
6 4

Спецификации:

Module Configuration: Single
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 150 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Количество выводов: 5
Рассеиваемая мощность максимальная: 790 Вт

RoHS: есть