Datasheet FF300R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит
Наименование модели: FF300R12KE3
![]() 45 предложений от 25 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | |||
FF300R12KE3HOSA1 Infineon | от 13 290 ₽ | ||
FF300R12KE3## Infineon | по запросу | ||
FF300R12KE3HOSA1 | по запросу | ||
FF300R12KE3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF300R12KE3
%&' ( )*+ %- ( 2 *+3 %&' ( 0) *+ %- ( )*+3 %&' ( 0) *+
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- DC Collector Current: 440 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
- Power Dissipation Max: 1.45 кВт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: Econopack 3
- Количество выводов: 7
- Альтернативный тип корпуса: M62a
- Тип корпуса: Econopack 3
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Current Ic Continuous a Max: 300 А
- Current Temperature: 80°C
- Fall Time tf: 0.13Вµs
- Power Dissipation: 1.45 кВт
- Power Dissipation Pd: 1.45 кВт
- Pulsed Current Icm: 600 А
- Rise Time: 0.09Вµs
- Voltage Vces: 1.2kV
RoHS: есть