Datasheet FS35R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK — Даташит

Infineon FS35R12W1T4

Наименование модели: FS35R12W1T4

Купить FS35R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 582 до 8 731 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A
T-electron Россия и страны СНГ	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	2 582 ₽
Utmel Весь мир	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	от 3 430 ₽
ChipWorker Весь мир	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	3 746 ₽
Akcel Весь мир	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	от 4 845 ₽

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS35R12W1T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

Module Configuration: Six
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 35 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
Power Dissipation Max: 225 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 18

RoHS: есть