Datasheet IKB03N120H2 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 3 А, TO263 — Даташит

Купить IKB03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 133 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 9.6A 3Pin(2+Tab) TO-263
T-electron Россия и страны СНГ	IKB03N120H2ATMA1 Infineon	92 ₽	Купить
Софт Логистик Россия	IKB03N120H2ATMA1 Infineon	115 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IKB03N120H2	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	IKB03N120H2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 3 А, TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IKB03N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A Qualified according to JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 1200V IC 3A Eoff 0.15mJ Tj 150°C Marking K03H1202 Package P-TO-220-3-45

Спецификации:

• DC Collector Current: 3 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• KESTER SOLDER - 24-6040-0066