На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet 2DD2661-13 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT89, 0.9 Вт — Даташит

Diodes 2DD2661-13

Наименование модели: 2DD2661-13

13 предложений от 7 поставщиков
DIODES INC. 2DD2661-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
Akcel
Весь мир
2DD2661-13
Diodes
от 29 ₽
Utmel
Весь мир
2DD2661-13
Diodes
от 29 ₽
AiPCBA
Весь мир
2DD2661-13
Diodes
42 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
2DD266113
934 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT89, 0.9 Вт

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2DD2661
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Complementary PNP Type Available (2DB1697) Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
  • Transition Frequency Typ ft: 170 МГц
  • Рассеиваемая мощность: 900 мВт
  • DC Collector Current: 1 А
  • DC Current Gain: 270
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-89
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 180 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 1 А
  • Частота единичного усиления типовая: 170 МГц
  • DC Current Gain Min: 270
  • Тип корпуса: SOT-89
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Low Saturation (BISS)

RoHS: есть

Варианты написания:

2DD266113, 2DD2661 13

На английском языке: Datasheet 2DD2661-13 - Diodes TRANSISTOR, NPN, SOT89, 0.9 W

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России