Datasheet BCV49TA - Diodes Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, SOT-89 — Даташит

Купить BCV49TA на РадиоЛоцман.Цены — от 4.37 до 735 ₽ 24 предложений от 11 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 500 мА, 1 Вт, SOT-89, Surface Mount
Компонентс Ру Россия	BCV49TA Diodes	от 29 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BCV49TA Diodes	от 38 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BCV49TA Zetex	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	BCV49TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, SOT-89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 ­ SEPTEMBER 1995 COMPLEMENTARY TYPE ­ PARTMARKING DETAILS ­ BCV48 EG
BCV49
C
E C B

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Transition Frequency Typ ft: 170 МГц
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• DC Collector Current: 500 мА
• DC Current Gain: 10000
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-89
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Av Current Ic: 500 мА
• Collector Emitter Voltage Vces: 1 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic @ Vce Sat: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 500 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 170 МГц
• Частота единичного усиления типовая: 170 МГц
• DC Current Gain Min: 2000
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-89
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• Pulsed Current Icm: 800 мА
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В

RoHS: есть