Datasheet BST52TA - Diodes Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, SOT-89 — Даташит
Наименование модели: BST52TA
![]() 30 предложений от 14 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 500 мА, 1 Вт, SOT-89, Surface Mount | |||
BST52TA Diodes | от 14 ₽ | ||
BST52TA Diodes | от 25 ₽ | ||
BST52TA Diodes | по запросу | ||
BST52TA | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, SOT-89
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 2000
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Av Current Ic: 500 мА
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic @ Vce Sat: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 2000
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-89
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
- Pulsed Current Icm: 1.5 А
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 90 В
RoHS: есть