Datasheet DSS60601MZ4-13 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT223, 1.2 Вт — Даташит
Наименование модели: DSS60601MZ4-13
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 60V 6A 1200mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | |||
DSS60601MZ4-13 Diodes | 8.88 ₽ | ||
DSS60601MZ4-13 Diodes | 26 ₽ | ||
DSS60601MZ4-13 Diodes | от 199 ₽ | ||
DSS60601MZ4-13 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, SOT223, 1.2 Вт
Краткое содержание документа:
DSS60601MZ4
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Complementary PNP Type Available (DSS60600MZ4) Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage Ideally Suited for Automated Assembly Processes Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2)
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Рассеиваемая мощность: 1.2 Вт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 150
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 150
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
RoHS: есть
Варианты написания:
DSS60601MZ413, DSS60601MZ4 13