Datasheet FMMT560 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: FMMT560
68 предложений от 29 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 150 мА, 500 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
FMMT560 Diodes | 7.24 ₽ | ||
FMMT560TA Diodes | от 7.38 ₽ | ||
FMMT560TA Diodes | 18 ₽ | ||
FMMT560TA Diodes | от 32 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, PNP, SOT-23
Краткое содержание документа:
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 1 NOVEMBER 1998 FEATURES * Excellent hFE characterisristics up to IC=50mA * Low Saturation voltages
FMMT560
C PARTMARKING DETAIL 560 B
E
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 500 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 60 МГц
- Power Dissipation Pd: 500 мВт
- DC Collector Current: 150 мА
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 150 мА
- Current Ic Continuous a Max: 150 мА
- Current Ic hFE: 50 мА
- DC Current Gain hFE: 100
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 60 МГц
- Hfe Min: 80
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 500 мВт
- SMD Marking: 560
- Tape Width: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vcbo: 500 В
RoHS: есть