Datasheet FZT849 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Купить FZT849 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 863 ₽ 46 предложений от 24 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
AllElco Electronics Весь мир	FZT849TA Diodes	от 13 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FZT849 Infineon	21 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FZT849TA Diodes	от 97 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FZT849ZT Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
ISSUE 3 - JANUARY 1996 FEATURES * Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)36m at 5A * 7 Amp continuous collector current (20 Amp peak) * Very low saturation voltages * Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp * Ptot =3 Watts PARTMARKING DETAILS COMPLEMENTARY TYPE FZT849 FZT949
FZT849
C
E C B

Каталог производителя

Краткое содержание документа:
Design Note 16 Issue 2 June 1995
Low Drop Out Linear Regulators
FZT949
+5V + 7.2 to 5.2V
Unreg.

input

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 100 МГц
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• DC Collector Current: 7 А
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 50 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 7 А
• Current Ic Continuous a Max: 7 А
• Current Ic hFE: 7 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
• Pulsed Current Icm: 20 А
• SMD Marking: FZT849
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 80 В

RoHS: есть