Datasheet FZT851 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Купить FZT851 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 97 ₽ 62 предложений от 29 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
AiPCBA Весь мир	FZT851QTA Diodes	13 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	FZT851TA Diodes	27 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FZT851 Diodes	от 97 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FZT851TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 2 - OCTOBER 1995 FEATURES * * * * Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 44m at 5A 6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current Very low saturation voltages Excellent hFE characteristics specified up to 10 Amps
FZT851 FZT853
C
E C B

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• DC Collector Current: 6 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 50 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 6 А
• Current Ic Continuous a Max: 6 А
• Current Ic hFE: 2 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
• Pulsed Current Icm: 20 А
• SMD Marking: FZT851
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 150 В

RoHS: есть