Datasheet FZT857 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Купить FZT857 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 461 ₽ 48 предложений от 25 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 300V 3.5A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Триема Россия	FZT857QTA Diodes	61 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FZT857 Diodes	от 77 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FZT857 Diodes	от 113 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	FZT857TC Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
ISSUE 4 - SEPTEMBER 1997 FEATURES * Up to 3.5 Amps continuous collector current, up to 5 Amp peak * VCEO = 300V * Very low saturation voltage * Excellent hFE specified up to 3 Amps PARTMARKING DETAIL COMPLEMENTARY TYPE FZT857 FZT957
FZT857
C
E C B

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 80 МГц
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• DC Collector Current: 3.5 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3.5 А
• Current Ic Continuous a Max: 3.5 А
• Current Ic Hfe NPN Device: 500 мА
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
• Pulsed Current Icm: 5 А
• SMD Marking: FZT857
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 350 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE901