Datasheet FZT949 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-223 — Даташит

Купить FZT949 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 140 ₽ 44 предложений от 21 поставщиков транзистор характеристики, SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
AllElco Electronics Весь мир	FZT949TA Diodes	от 14 ₽	Купить
727GS Весь мир	FZT949TA Diodes	от 39 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FZT949TA-CT Zetex	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	FZT949TA	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES * Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) * 6 Amps continuous current * Up to 20 Amps peak current * Very low saturation voltage * Excellent hFE characteristics specified upto 20 Amps
FZT948 FZT949
C
E C

Каталог производителя

Краткое содержание документа:
Design Note 16 Issue 2 June 1995
Low Drop Out Linear Regulators
FZT949
+5V + 7.2 to 5.2V
Unreg.

input

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 80 МГц
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• DC Collector Current: 7 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -130 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 7 А
• Current Ic Continuous a Max: 7 А
• Current Ic hFE: 7 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 80 МГц
• Hfe Min: 75
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
• Pulsed Current Icm: 20 А
• SMD Marking: FZT949
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 80 В

RoHS: есть