Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet ZTX1051A - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Diodes ZTX1051A

Наименование модели: ZTX1051A

42 предложений от 16 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 40V 4A 1000mW Automotive 3Pin E-Line
Lixinc Electronics
Весь мир
ZTX1051A
Diodes
от 51 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZTX1051A
Diodes
57 ₽
ZTX1051A
Diodes
от 118 ₽
ЧипСити
Россия
ZTX1051A
Diodes
345 ₽
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 95 FEATURES * BCEV=150V * Very Low Saturation Voltage * High Gain * Inherently Low Noise APPLICATIONS * Emergency Lighting * Low Noise Audio
ZTX1051A
C B
E

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
  • Gain Bandwidth ft Typ: 155 МГц
  • Power Dissipation Pd: 1 Вт
  • DC Collector Current: 4 А
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +200°C

  • Корпус транзистора: E-Line
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 210 мВ
  • Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
  • Current Ic @ Vce Sat: 4 А
  • Current Ic Continuous a Max: 4 А
  • Current Ic hFE: 1 А
  • DC Current Gain hFE: 450
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Hfe Min: 300
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: E-Line
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
  • Pulsed Current Icm: 10 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Voltage Vcbo: 150 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZTX1051A - Diodes TRANSISTOR, NPN, E-LINE

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка