Datasheet ZTX1051A - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Купить ZTX1051A на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 3 741 ₽ 27 предложений от 12 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А, 1 Вт, E-Line, Through Hole
AiPCBA Весь мир	ZTX1051A Diodes	64 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZTX1051A Diodes	65 ₽	Купить
Элитан Россия	ZTX1051A Diodes	78 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	ZTX1051A Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 95 FEATURES * BCEV=150V * Very Low Saturation Voltage * High Gain * Inherently Low Noise APPLICATIONS * Emergency Lighting * Low Noise Audio
ZTX1051A
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 155 МГц
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +200°C

• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 210 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
• Current Ic @ Vce Sat: 4 А
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 450
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 300
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• Pulsed Current Icm: 10 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Voltage Vcbo: 150 В

RoHS: есть