HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet ZTX558 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, E-LINE — Даташит

Diodes ZTX558

Наименование модели: ZTX558

32 предложений от 18 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 200 мА, 1 Вт, E-Line, Through Hole
Akcel
Весь мир
ZTX558STZ
Diodes
от 13 ₽
Utmel
Весь мир
ZTX558STZ
Diodes
от 13 ₽
ChipWorker
Весь мир
ZTX558QSTZ
Diodes
27 ₽
Acme Chip
Весь мир
ZTX558QSTZ
Zetex
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, E-LINE

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94 FEATURES * 400 Volt VCEO * 200mA continuous current * Ptot= 1 Watt
ZTX558
C B
E

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Gain Bandwidth ft Typ: 50 МГц
  • Power Dissipation Pd: 1 Вт
  • DC Collector Current: 200 мА
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +200°C

  • Корпус транзистора: E-Line
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
  • Continuous Collector Current Ic Max: 200 мА
  • Current Ic @ Vce Sat: 50 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 200 мА
  • Current Ic hFE: 50 мА
  • DC Current Gain hFE: 100
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Gain Bandwidth ft Min: 50 МГц
  • Hfe Min: 100
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: E-Line
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Voltage Vcbo: 400 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZTX558 - Diodes TRANSISTOR, PNP, E-LINE

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России