Datasheet ZX5T853G - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Diodes ZX5T853G

Наименование модели: ZX5T853G

Купить ZX5T853G на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 66 ₽ 100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
EIS Components Весь мир	ZX5T853G Zetex	65 ₽
Элитан Россия	ZX5T853G Diodes	66 ₽
ЭлектроПласт Россия	ZX5T853G Diodes	по запросу
Augswan Весь мир	ZX5T853G Zetex	по запросу

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZX5T853G
100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
SUMMARY BVCEO = 100V : RSAT = 36m ; IC = 6A DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 100V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
Корпус транзистора: SOT-223
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Av Current Ic: 6 А
Collector Emitter Voltage Vces: 220 мВ
Continuous Collector Current Ic Max: 6 А
Current Ic @ Vce Sat: 4 А
Current Ic Continuous a Max: 6 А
Current Ic hFE: 5 А
Full Power Rating Temperature: 25°C
Hfe Min: 30
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: SOT-223
Power Dissipation: 1.6 Вт
Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
Pulsed Current Icm: 10 А
Resistance R1: 36 МОм
SMD Marking: X5T853
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: Bipolar
Voltage Vcbo: 200 В

RoHS: есть