Datasheet 2N3055 - Multicomp Даташит Транзистор, NPN, TO-3 — Даташит

Купить 2N3055 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.46 до 450 ₽ 68 предложений от 32 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 70Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 100Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 7Напряжение насыщения КЭ...
AliExpress Весь мир	Слюдяная изоляционная прокладка TO-3, теплоизоляционные изоляционные прокладки, силиконовый лист слюды для 2N3055 MJ15025	3.46 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	2N3055 Inchange Semiconductor	32 ₽	Купить
PL-1 Россия	2N3055	от 80 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	2N3055	от 125 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Multicomp

Описание: Транзистор, NPN, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Power Transistor
Features:
· · · · Power dissipation - PD = 115W at TC = 25°C.

DC current gain hFE = 20 ~ 70 at IC = 4.0A. VCE(Sat) = 1.1V (maximum) at IC = 4.0 A, IB = 400mA. Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications.
Dimensions A B C D E F G H I J K
Minimum 38.75 19.28 7.96 11.18 25.20 0.92 1.38 29.90 16.64 3.88 10.67

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Частота единичного усиления типовая: 2.5 МГц
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• DC Collector Current: 15 А
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• Av Current Ic: 15 А
• Ток коллектора постоянный максимальный: 15 А
• Current Ic Continuous a Max: 15 А
• DC Current Gain: 4 А
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 2.5 МГц
• DC Current Gain Min: 20
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Рассеиваемая мощность максимальная: 115 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Fischer Elektronik - FK 201SA-3
• Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5