Datasheet MJ10009 - NTE Electronics Даташит NPN транзистор — Даташит

Купить MJ10009 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 4 490 ₽ 18 предложений от 13 поставщиков SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS WITH BASE-EMITTER SPEEDUP DIODE
727GS Весь мир	MJ10009 Mospec	от 12 ₽	Купить
ЧипСити Россия	MJ10009 NTE Electronics	685 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	MJ10009	2 141 ₽	Купить
МосЧип Россия	MJ10009	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: NPN транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE98 Silicon NPN Transistor HV Darlington Power Amp, Switch
Description: The NTE98 is a silicon NPN Darlington transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high­speed, power switching in inductive circuits where fall­time is critical.

They are particularly suited for line operated switch­mode applications. Applications: D Switching Regulators D Inverters D Solenoid and Relay Drivers Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Collector­Emitter Voltage, VCEX(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Collector­Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V Co

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Power Dissipation Pd: 175 Вт
• DC Collector Current: 20 А
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• DC Current Gain: 40

RoHS: есть