Datasheet MJ10009 - NTE Electronics Даташит NPN транзистор — Даташит
Наименование модели: MJ10009
![]() 18 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, NTE ELECTRONICS MJ10009 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 500V, 175W, 20A, 40 hFE | |||
MJ10009 | от 160 ₽ | ||
MJ10009 | 2 141 ₽ | ||
MJ10009 /SSI | 2 967 ₽ | ||
MJ10009 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: NPN транзистор
Краткое содержание документа:
NTE98 Silicon NPN Transistor HV Darlington Power Amp, Switch
Description: The NTE98 is a silicon NPN Darlington transistor in a TO3 type package designed for high voltage, highspeed, power switching in inductive circuits where falltime is critical.
They are particularly suited for line operated switchmode applications. Applications: D Switching Regulators D Inverters D Solenoid and Relay Drivers Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V CollectorEmitter Voltage, VCEX(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V CollectorEmitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V Co
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Power Dissipation Pd: 175 Вт
- DC Collector Current: 20 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- DC Current Gain: 40
RoHS: есть